MMBT2907ALT1G

Menge (Set mit 10)	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	0.53€	0.64€
5 - 9	0.50€	0.60€
10 - 24	0.48€	0.58€
25 - 49	0.45€	0.54€
50 - 99	0.42€	0.50€
100 - 111	0.40€	0.48€

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Set mit 10

MMBT2907ALT1G. Kosten): 1.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.6A. Ic(Impuls): 1.2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 225mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 05:25.

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