MMD50R380P

MMD50R380P. C(in): 702pF. Kosten): 357pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 256ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 50R380. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 59.6ns. Td(on): 15.2ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Geringer Leistungsverlust durch schnelles Schalten und niedrigen Einschaltwiderstand. Funktion: PFC-Stromversorgungsstufen, Schaltanwendungen, Motorsteuerung, DC-DC-Wandler. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 00:25.