Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

MMSS8050-H

MMSS8050-H
Menge (Set mit 10) exkl. MwSt inkl. MwSt
1 - 1 1.52€ 1.82€
2 - 2 1.44€ 1.73€
3 - 4 1.37€ 1.64€
5 - 9 1.29€ 1.55€
10 - 24 1.21€ 1.45€
25 - 49 1.00€ 1.20€
50 - 240 0.93€ 1.12€
Menge (Set mit 10) U.P
1 - 1 1.52€ 1.82€
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Set mit 10

MMSS8050-H. Kosten): 9pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 350. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 1.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y1. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 00:25.

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