MOSFET-Transistor AP4501GM. Anzahl der Terminals: 8:1. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2). Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4501GM. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Originalprodukt vom Hersteller: Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 14/12/2025, 22:25