N-P-MOSFET-Transistorpaar

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4502C. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2)

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Technologie: Komplementäre MOSFET-Transistoren, N-Kanal und P-Kanal

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Technologie: Komplementäre MOSFET-Transistoren, N-Kanal und P-Kanal

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Technologie: Komplementäre MOSFET-Transistoren, N-Kanal und P-Kanal

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Einschaltwiderstand Rds On: 28/35m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP-8. Menge pro Karton: 2. Technologie: Komplementäre MOSFET-Transistoren, N-Kanal und P-Kanal. Spec info: Ersatz für MOSFET

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. Technologie: Komplementäre MOSFET-Transistoren, N-Kanal und P-Kanal, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. IDSS: 1...5uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 16.2/4.8 ns. Td(on): 6.4 ns. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Menge pro Karton: 2. Hinweis: IDM--30Ap & 30Ap. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: MOSFET-Transistor, Rds (ON) sehr niedrig. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Komplementäre MOSFET-Transistoren, N-Kanal und P-Kanal. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P605. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4501GM. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2)

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: ID(AV)--N--9A P--8A. Hinweis: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Hinweis: Vdss 30V (N), -30V (P)

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: DIP-8. Gehäuse: DIP. Menge pro Karton: 2. Hinweis: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: *SMD TO-252-4L*. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 4. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Erweiterungsmodus DUAL MOSFET (N- und P-Kanal)“. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Hinweis: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Hinweis: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Hinweis: Vds 30V & 30V

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: KNP. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: MOSFET mit Komplementärpaar-Verstärkungsmodus. Gehäuse: SOT-363 ( SC-88 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-363. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code KNP. Funktion: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 420. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPERSOT-6. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 420

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Konditionierung: Rolle. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: omplementary PowerTrench MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: N-Kanal-Transistor (Q1), P-Kanal-Transistor (Q2)

MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)

MOSFET-Transistor. C(in): 760pF. Kosten): 155pF. Kanaltyp: N-P. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2. Funktion: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS