Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-P-MOSFET-Transistorpaar

MOSFET-Transistor AOP605

MOSFET-Transistor AOP605
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MOSFET-Transistor AOP605. MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N-P. Funktion: Komplementärer Verbesserungsmodus FET. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P605. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 01:25.

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