MOSFET-Transistor FDS8962C

MOSFET-Transistor FDS8962C

Menge
Stückpreis
1-4
1.70€
5-24
1.48€
25-49
1.32€
50-94
1.20€
95+
1.02€
Menge auf Lager: 225

MOSFET-Transistor FDS8962C. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Spec info: Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V. Technologie: Dual-MOSFET-Transistor, N- und P-Kanäle, „PowerTrench“. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FDS8962C
13 Parameter
Anzahl der Terminals
8:1
Betriebstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Q1 N-Ch 7A, 30V RDS(on)=0.030 Ohms, Vgs=10V
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Gehäuse
SO
Kanaltyp
N-P
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
2W
RoHS
ja
Spec info
Q2 P-Ch, 5A, 30V RDS(on)=0.052 Ohms, Vgs=10V
Technologie
Dual-MOSFET-Transistor, N- und P-Kanäle, „PowerTrench“
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild