MOSFET-Transistor IRF7343. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 24/26nC. Drain-Source-Spannung: 55/-55V. Funktion: Paar komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Transistoren. Gate-Source-Spannung: 20V, ±20V. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. Kanaltyp: N-P. Leistung: 2W. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms. Strömung abfließen: 4.7/-3.4A. Technologie: HEXFET®. Thermischer Widerstand: 62.5K/W. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:43