MOSFET-Transistor SI9945AEY. Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: 9.31k Ohms. G-S-Schutz: nein. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Gehäuse: SO. ID (T=100°C): 3.7A. IDSS (max): 3.2A. IDss (min): 1uA. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1uA. Technologie: 2xN-CH 60V. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Bestandsmenge aktualisiert am 18/12/2025, 17:37