MTW45N10E

MTW45N10E. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AE. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MTW45N10E. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 23:25.