MUN2212

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 9	0.46€	0.55€
10 - 24	0.43€	0.52€
25 - 49	0.41€	0.49€
50 - 99	0.39€	0.47€
100 - 249	0.38€	0.46€
250 - 499	0.37€	0.44€
500 - 2893	0.35€	0.42€

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Set mit 1

MUN2212. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Transistor mit Vorspannungswiderstandsnetzwerk. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 0.1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 8B. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 338mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Digitale Transistoren (BRT). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Panasonic NV-SD450. Hinweis: B1GBCFLL0035. Menge pro Karton: 1. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 8B. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 23:25.

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