MUR10120E

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MUR10120E. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Hinweis: ScanSwitch. Hinweis: IFSM 100Aps. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 09:25.

Technische Dokumentation