Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 16mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5459

N-Kanal-Transistor, 16mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5459
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N-Kanal-Transistor, 16mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5459. N-Kanal-Transistor, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. IDSS (max): 16mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 25V. C(in): 2250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 53 ns. Transistortyp: FET. Funktion: Uni sym. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 4mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 4mA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Allzweck-JFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 4.5V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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N-Kanal-Transistor, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 15mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Kosten): 1.6pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekttransistor. Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 3.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1.6V
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