Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - 2SK1118-PMC

N-Kanal-Transistor, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - 2SK1118-PMC
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N-Kanal-Transistor, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - 2SK1118-PMC. N-Kanal-Transistor, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 300uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 24A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 01:25.

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N-Kanal-Transistor, 9A, 100nA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 600V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100nA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 900pF. Kosten): 150pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. IDss (min): 10nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2645. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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