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N-Kanal-Transistor, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - 2SK2314

N-Kanal-Transistor, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - 2SK2314
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N-Kanal-Transistor, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - 2SK2314. N-Kanal-Transistor, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 27A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1100pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 155 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Autoelektronik. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 108A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K2314. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: ESD Protected--2000V min. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140us. Td(on): 30us. Technologie: Leistungs-Feldeffekttransistor. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 08:25.

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