N-Kanal-Transistor 2SK2671, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

N-Kanal-Transistor 2SK2671, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

Menge
Stückpreis
1-4
5.23€
5-9
4.84€
10-24
4.56€
25-49
4.35€
50+
3.94€
Gleichwertigkeit vorhanden
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N-Kanal-Transistor 2SK2671, 5A, 250uA, 2.1 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.1 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 1140pF. Drain-Source-Schutz: nein. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): na. Id(imp): 10A. Kanaltyp: N. Kosten): 105pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Td(off): 210 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: HVX-2 Series POWER MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): na. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Shindengen Electric. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:31

Technische Dokumentation (PDF)
2SK2671
25 Parameter
ID (T=25°C)
5A
IDSS (max)
250uA
Einschaltwiderstand Rds On
2.1 Ohms
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F15
Spannung Vds(max)
900V
C(in)
1140pF
Drain-Source-Schutz
nein
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
IDss (min)
na
Id(imp)
10A
Kanaltyp
N
Kosten)
105pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
Td(off)
210 ns
Td(on)
55 ns
Technologie
HVX-2 Series POWER MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
na
Vgs(th) max.
3.5V
Vgs(th) min.
2.5V
Originalprodukt vom Hersteller
Shindengen Electric

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