N-Kanal-Transistor, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V - 2SK2828

N-Kanal-Transistor, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V - 2SK2828. N-Kanal-Transistor, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 700V. C(in): 1850pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 2.5us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 48A. IDss (min): na. Td(off): 140 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor. Leistung: 175W. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Originalprodukt vom Hersteller Hitachi. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 08:25.