Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK3878

N-Kanal-Transistor, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK3878
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N-Kanal-Transistor, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK3878. N-Kanal-Transistor, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 2200pF. Kosten): 45pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1.4us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 27A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3878. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 65 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 14:25.

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