Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V - ALF08N20V

N-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V - ALF08N20V
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N-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V - ALF08N20V. N-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. IDss (min): 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ALF08P20V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Originalprodukt vom Hersteller Semelab. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 18:25.

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ECX10N20

ECX10N20

N-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO...
ECX10N20
N-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECX10P20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.15V
ECX10N20
N-Kanal-Transistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECX10P20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.15V
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