N-Kanal-Transistor, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V - AP88N30W

N-Kanal-Transistor, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V - AP88N30W. N-Kanal-Transistor, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. ID (T=100°C): 48A. ID (T=25°C): 48A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 48m Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 300V. C(in): 8440pF. Kosten): 1775pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 160A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 88N30W. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 312W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 220 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 18:25.