Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245C

N-Kanal-Transistor, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245C
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N-Kanal-Transistor, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245C. N-Kanal-Transistor, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 25mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 4pF. Kosten): 1.6pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekttransistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 22:25.

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N-Kanal-Transistor, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 25mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1.7pF. Kosten): 0.8pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 22*. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 12mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Feldeffekttransistor mit Siliziumübergang. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7.8V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS
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