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N-Kanal-Transistor, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS138

N-Kanal-Transistor, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS138
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N-Kanal-Transistor, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS138. N-Kanal-Transistor, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.22A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.7 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 50V. C(in): 27pF. Kosten): 13pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 0.88A. IDss (min): 0.5uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SS. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. RoHS: ja. Spec info: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 2.5 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 02:25.

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BSS138-7-F

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N-Kanal-Transistor, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.2A. Ei...
BSS138-7-F
N-Kanal-Transistor, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.2A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.4 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 50V. C(in): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 1A. IDss (min): 0.5uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SS. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Gewicht: 0.008g. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V
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N-Kanal-Transistor, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 0.2A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.4 Ohms. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 50V. C(in): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 1A. IDss (min): 0.5uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code SS. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Gewicht: 0.008g. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V
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