N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A - BTS436L2GATMA1

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A - BTS436L2GATMA1. N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK/5. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 200us. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250us. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.