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N-Kanal-Transistor BUZ12, 32A, 42A, 42A, 0.028 Ohms, 50V
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N-Kanal-Transistor BUZ12, 32A, 42A, 42A, 0.028 Ohms, 50V. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 42A. IDSS (max): 42A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms. Spannung Vds(max): 50V. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Technologie: V-MOS. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Siemens. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57
BUZ12
12 Parameter
ID (T=100°C)
32A
ID (T=25°C)
42A
IDSS (max)
42A
Einschaltwiderstand Rds On
0.028 Ohms
Spannung Vds(max)
50V
Funktion
N-MOSFET-Transistor
Kanaltyp
N
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
125W
Technologie
V-MOS
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Siemens