N-Kanal-Transistor, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V - BUZ91A
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.10€ | 2.52€ |
| 5 - 9 | 2.00€ | 2.40€ |
| 10 - 11 | 1.89€ | 2.27€ |
| Menge | U.P | |
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N-Kanal-Transistor, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V - BUZ91A. N-Kanal-Transistor, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 03:25.
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N-Kanal-Transistor, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 32A. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Technologie: V-MOS
N-Kanal-Transistor, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.9 Ohms. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 32A. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Technologie: V-MOS
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