Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71€ | 2.05€ |
5 - 9 | 1.63€ | 1.96€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.85€ |
25 - 49 | 1.46€ | 1.75€ |
50 - 82 | 1.42€ | 1.70€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 1.71€ | 2.05€ |
5 - 9 | 1.63€ | 1.96€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.85€ |
25 - 49 | 1.46€ | 1.75€ |
50 - 82 | 1.42€ | 1.70€ |
N-Kanal-Transistor, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V - FDD6635. N-Kanal-Transistor, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. IDSS (max): 59A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 1400pF. Kosten): 317pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD6635. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 55W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 08:25.
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