Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

N-Kanal-Transistor, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v - FDD8878

N-Kanal-Transistor, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v - FDD8878
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1 - 4 1.03€ 1.24€
5 - 9 0.98€ 1.18€
10 - 24 0.93€ 1.12€
25 - 25 0.88€ 1.06€
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N-Kanal-Transistor, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v - FDD8878. N-Kanal-Transistor, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 880pF. Kosten): 195pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 39 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 08:25.

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