N-Kanal-Transistor, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FDP18N50

N-Kanal-Transistor, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FDP18N50. N-Kanal-Transistor, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 10.8A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.22 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2200pF. Kosten): 330pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 72A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 235W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: N-Channel MOSFET (UniFET). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 08:25.