N-Kanal-Transistor, 0.016 Ohms, TO-220AB, 56A, 79A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V - FDP2532

N-Kanal-Transistor, 0.016 Ohms, TO-220AB, 56A, 79A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V - FDP2532. N-Kanal-Transistor, 0.016 Ohms, TO-220AB, 56A, 79A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. ID (T=100°C): 56A. ID (T=25°C): 79A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 150V. Drain-Source-Spannung (Vds): 150V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 79A. Leistung: 310W. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 08:25.