Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

N-Kanal-Transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - FDP3632

N-Kanal-Transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - FDP3632
Menge exkl. MwSt inkl. MwSt
1 - 1 5.42€ 6.50€
2 - 2 5.15€ 6.18€
3 - 4 4.88€ 5.86€
5 - 5 4.61€ 5.53€
Menge U.P
1 - 1 5.42€ 6.50€
2 - 2 5.15€ 6.18€
3 - 4 4.88€ 5.86€
5 - 5 4.61€ 5.53€
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Menge auf Lager : 5
Set mit 1

N-Kanal-Transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - FDP3632. N-Kanal-Transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 6000pF. Kosten): 820pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 08:25.

Gleichwertige Produkte :

Menge auf Lager : 30
FDH3632

FDH3632

N-Kanal-Transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=2...
FDH3632
N-Kanal-Transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-3. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 6000pF. Kosten): 820pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
FDH3632
N-Kanal-Transistor, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-3. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 6000pF. Kosten): 820pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 64 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: DC/DC-Spannungswandler und USV-Wechselrichter. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
Set mit 1
9.96€ inkl. MwSt
(8.30€ exkl. MwSt)
9.96€

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Abonnieren Sie den Newsletter

Ich stimme dem Empfang von E-Mails zu und verstehe, dass ich mich nach der Registrierung jederzeit abmelden kann.

Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.