N-Kanal-Transistor, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v - FDS8884

N-Kanal-Transistor, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v - FDS8884. N-Kanal-Transistor, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 8.5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 19m Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 475pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 33 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 42 ns. Td(on): 5 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 08:25.