N-Kanal-Transistor, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V - FGB20N60SF

N-Kanal-Transistor, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V - FGB20N60SF. N-Kanal-Transistor, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2-PAK. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 940pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGB20N60SF. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 90 ns. Td(on): 12 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Solarwechselrichter, USV, Schweißgerät, PFC. Hinweis: N-Kanal-MOS-IGBT-Transistor. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 08:25.