N-Kanal-Transistor, 25A, Andere, Andere, 1200V - FP25R12W2T4

N-Kanal-Transistor, 25A, Andere, Andere, 1200V - FP25R12W2T4. N-Kanal-Transistor, 25A, Andere, Andere, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 1.45pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Funktion: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 39A. Ic(Impuls): 50A. Hinweis: 7x IGBT+ CE Diode. Anzahl der Terminals: 33dB. Abmessungen: 56.7x48x12mm. Pd (Verlustleistung, max): 175W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.46 ns. Td(on): 0.08 ns. Technologie: IGBT-Hybridmodul. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.25V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.2V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Originalprodukt vom Hersteller Eupec/infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 11:25.