N-Kanal-Transistor, 0.91 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V, 4.4A, 7A, 100uA - FQAF11N90C

N-Kanal-Transistor, 0.91 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V, 4.4A, 7A, 100uA - FQAF11N90C. N-Kanal-Transistor, 0.91 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V, 4.4A, 7A, 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.91 Ohms. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Spannung Vds(max): 900V. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 100uA. RoHS: ja. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. C(in): 2530pF. Kosten): 215pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1000 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnelles Schalten, niedrige Gate-Ladung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 28A. IDss (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 3. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.