N-Kanal-Transistor, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF3N80C

N-Kanal-Transistor, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF3N80C. N-Kanal-Transistor, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 543pF. Kosten): 54pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 642 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 12A. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 39W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 22.5 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 13 nC, niedriger CrSS 5,5 pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 12:25.