N-Kanal-Transistor, 75A, Andere, Andere, 1200V - FS75R12KE3GBOSA1

N-Kanal-Transistor, 75A, Andere, Andere, 1200V - FS75R12KE3GBOSA1. N-Kanal-Transistor, 75A, Andere, Andere, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 5300pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Funktion: ICRM 150A Tp=1ms. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 100A. Ic(Impuls): 150A. Hinweis: 6x IGBT+ CE Diode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FS75R12KE3G. Anzahl der Terminals: 35. Abmessungen: 122x62x17.5mm. Pd (Verlustleistung, max): 355W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Betriebstemperatur: -40...+125°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.15V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Originalprodukt vom Hersteller Eupec/infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 17:25.