N-Kanal-Transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V - GT30J324

N-Kanal-Transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V - GT30J324. N-Kanal-Transistor, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 4650pF. Kanaltyp: N. Funktion: Hochleistungsschaltanwendungen. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 60A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.3 ns. Td(on): 0.09 ns. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.45V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 16:25.