N-Kanal-Transistor, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V - GT35J321

N-Kanal-Transistor, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V - GT35J321. N-Kanal-Transistor, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Gehäuse: TO-3P( N )IS. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Funktion: Hochleistungsschaltanwendungen. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 37A. Ic(Impuls): 100A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 0.51 ns. Td(on): 0.33 ns. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 25V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 18:25.