N-Kanal-Transistor, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG12N60A4D

N-Kanal-Transistor, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG12N60A4D. N-Kanal-Transistor, TO-247, 23A, TO-247 ( AC ), 600V. Gehäuse: TO-247. Ic(T=100°C): 23A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. RoHS: ja. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Germaniumdiode: NINCS. Produktionsdatum: 2014/17. Kollektorstrom: 54A. Ic(Impuls): 96A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 12N60A4D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 96 ns. Td(on): 17 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.6V. Originalprodukt vom Hersteller Onsemi (fairchild). Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 20:25.