Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

N-Kanal-Transistor, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG30N60A4D

N-Kanal-Transistor, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG30N60A4D
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Menge exkl. MwSt inkl. MwSt
1 - 1 11.08€ 13.30€
2 - 2 10.53€ 12.64€
3 - 4 9.97€ 11.96€
5 - 9 9.42€ 11.30€
10 - 14 9.20€ 11.04€
15 - 19 8.98€ 10.78€
20 - 66 8.64€ 10.37€
Menge U.P
1 - 1 11.08€ 13.30€
2 - 2 10.53€ 12.64€
3 - 4 9.97€ 11.96€
5 - 9 9.42€ 11.30€
10 - 14 9.20€ 11.04€
15 - 19 8.98€ 10.78€
20 - 66 8.64€ 10.37€
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Menge auf Lager : 66
Set mit 1

N-Kanal-Transistor, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V - HGTG30N60A4D. N-Kanal-Transistor, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Gehäuse: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. RoHS: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Kollektorstrom: 75A. Ic(Impuls): 240A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 30N60A4D. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 463W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 16:25.

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Abonnieren Sie den Newsletter

Ich stimme dem Empfang von E-Mails zu und verstehe, dass ich mich nach der Registrierung jederzeit abmelden kann.

Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.