Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND

N-Kanal-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND
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N-Kanal-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND. N-Kanal-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 25A. Ic(Impuls): 40A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5N120BND. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 167W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 182 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: IGBT-Transistor der NPT-Serie mit antiparalleler hyperschneller Diode. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.8V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 16:25.

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N-Kanal-Transistor, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Kollektorstrom: 35A. Ic(Impuls): 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 10N120BND. Pd (Verlustleistung, max): 298W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 165 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: IGBT-Transistor der NPT-Serie mit antiparalleler hyperschneller Diode. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.45V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.8V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 30. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS
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