Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 0.89€ | 1.07€ |
5 - 9 | 0.85€ | 1.02€ |
10 - 24 | 0.80€ | 0.96€ |
25 - 49 | 0.76€ | 0.91€ |
50 - 51 | 0.74€ | 0.89€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.89€ | 1.07€ |
5 - 9 | 0.85€ | 1.02€ |
10 - 24 | 0.80€ | 0.96€ |
25 - 49 | 0.76€ | 0.91€ |
50 - 51 | 0.74€ | 0.89€ |
N-Kanal-Transistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V - HUF75307D3. N-Kanal-Transistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 250pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75307D. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 16:25.
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