Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 0.97€ | 1.16€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.12€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.06€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.00€ |
50 - 99 | 0.81€ | 0.97€ |
100 - 108 | 0.79€ | 0.95€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 0.97€ | 1.16€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.12€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.06€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.00€ |
50 - 99 | 0.81€ | 0.97€ |
100 - 108 | 0.79€ | 0.95€ |
N-Kanal-Transistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V - HUF75307D3S. N-Kanal-Transistor, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-252AA ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 250pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75307D. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 16:25.
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