Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

N-Kanal-Transistor, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - HUF75645P3

N-Kanal-Transistor, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - HUF75645P3
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Menge exkl. MwSt inkl. MwSt
1 - 4 3.41€ 4.09€
5 - 9 3.24€ 3.89€
10 - 24 3.07€ 3.68€
25 - 48 2.90€ 3.48€
Menge U.P
1 - 4 3.41€ 4.09€
5 - 9 3.24€ 3.89€
10 - 24 3.07€ 3.68€
25 - 48 2.90€ 3.48€
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Menge auf Lager : 48
Set mit 1

N-Kanal-Transistor, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - HUF75645P3. N-Kanal-Transistor, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0115 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 3790pF. Kosten): 810pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 145 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75645 P. Pd (Verlustleistung, max): 310W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 16:25.

Informationen und technische Hilfe

Telefonisch :

Zahlungs-und Lieferbedingungen

Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!

Abonnieren Sie den Newsletter

Ich stimme dem Empfang von E-Mails zu und verstehe, dass ich mich nach der Registrierung jederzeit abmelden kann.

Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.