N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V - IHW20N120R5

N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V - IHW20N120R5. N-Kanal-Transistor, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO247-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 1340pF. Kosten): 43pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Funktion: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H20MR5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 288W. RoHS: ja. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 350 ns. Td(on): 260 ns. Technologie: TRENCHSTOP TM technology. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.55V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.4V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 18:25.