N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 100uA, 5.6M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IPB80N06S2-07

N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 100uA, 5.6M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IPB80N06S2-07. N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 100uA, 5.6M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5.6M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 3400pF. Kosten): 880pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N0607. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 61 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 16:25.