N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 42A - IRF1310NSPBF

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 42A - IRF1310NSPBF. N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 42A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F1310NS. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 11 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1900pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 19:25.