N-Kanal-Transistor, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRF1404

N-Kanal-Transistor, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V - IRF1404. N-Kanal-Transistor, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. ID (T=100°C): 115A. ID (T=25°C): 162A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 40V. C(in): 7360pF. Kosten): 1680pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 71 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 650A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 19:25.