N-Kanal-Transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - IRF1404S

N-Kanal-Transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - IRF1404S. N-Kanal-Transistor, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 130A. ID (T=25°C): 190A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.7M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 4340pF. Kosten): 1030pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 220W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 36ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 19:25.