N-Kanal-Transistor, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1405ZPBF

N-Kanal-Transistor, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF1405ZPBF. N-Kanal-Transistor, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0037 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 4780pF. Kosten): 770pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 600A. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 230W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 48 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 19:25.